國產化5G芯片用氮化鎵材料在蕪湖試制成功
2019年02月25日 10:20 7528次瀏覽 來源： 中國有色金屬報 分類： 新材料前沿
近日，筆者從西安電子科技大學蕪湖研究院獲悉，作為蕪湖大院大所合作的重點項目，國產化5G通信芯片用氮化鎵材料在西電蕪湖研究院試制成功，這標志著今后國內各大芯片企業(yè)生產5G通信芯片，有望用上國產材料。
據介紹，氮化鎵半導體材料具有寬帶隙、高擊穿場強、高熱導率、低介電常數、高電子飽和漂移速度、強抗輻射能力和良好化學穩(wěn)定性等優(yōu)越物理化學性質。成為繼第一代半導體硅、第二代半導體砷化鎵之后制備新一代微電子器件和電路的關鍵材料，特別適合于高頻率、大功率、高溫和抗輻照電子器件與電路的研制。
西安電子科技大學蕪湖研究院依托于西電寬帶隙半導體技術國家重點學科實驗室，研發(fā)出全國產的基于碳化硅襯底的氮化鎵材料，目前在國際第三代半導體技術領域處于領先水平，將助力5G通信制造領域的國產化進程。西電蕪湖研究院技術總監(jiān)陳興表示，研究院目前已經掌握了氮化鎵材料的生產和5G通信芯片的核心設計與制造能力。下一步他們將盡快將這項技術商用，力爭早日推向市場。
責任編輯：陳巖
如需了解更多信息，請登錄中國有色網：www.ikesushi.com了解更多信息。
中國有色網聲明：本網所有內容的版權均屬于作者或頁面內聲明的版權人。
凡注明文章來源為“中國有色金屬報”或 “中國有色網”的文章，均為中國有色網原創(chuàng)或者是合作機構授權同意發(fā)布的文章。
如需轉載，轉載方必須與中國有色網（ 郵件：cnmn@cnmn.com.cn 或 電話：010-63971479）聯(lián)系，簽署授權協(xié)議，取得轉載授權；
凡本網注明“來源：“XXX（非中國有色網或非中國有色金屬報）”的文章，均轉載自其它媒體，轉載目的在于傳遞更多信息，并不構成投資建議，僅供讀者參考。
若據本文章操作，所有后果讀者自負，中國有色網概不負任何責任。
